描述
芯存科技
科技改变世界成就未来
芯片详细介绍
XCCB256M16DP-FLNAH
4G DDR3
 芯片详细参数:

存储容量:4Gb

工作电压:1.35/1.5V

存储结构:256M x 16

Clock:1066 MHz

Data Rate:2133 Mb/S

CL-TRCD-TRP:14 - 14 - 14

工作温度: 0 ℃~95 ℃

产品封装:VFBGA96

产品尺寸:7.5mm x 13mm

存储容量:4Gb

工作电压:1.35/1.5V

存储结构:256M x 16

Clock:1066 MHz

Data Rate:2133 Mb/S

CL-TRCD-TRP:14 - 14 - 14

工作温度: 0 ℃~95 ℃

产品封装:VFBGA96

产品尺寸:7.5mm x 13mm